IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）与SiC（碳化硅）MOSFET作为功率半导体领域的核心器件，在新能源汽车、工业变频器、光伏逆变器等场景中发挥着关键作用。然而，其性能与可靠性高度依赖于严格的测试验证