台积电在这个工作中报道了SiN-on-SOI平台的工作，其中氮化硅采用PECVD工艺低温沉积，以减少对硅有源器件的热影响。但低温PECVD氮化硅的质量和均匀性不如高温LPCVD工艺，因此进行了工艺优化。(台积电的SOI的硅层采用2