OFC 2025：TSMC低损耗PECVD氮化硅平台

台积电在这个工作中报道了SiN-on-SOI平台的工作，其中氮化硅采用PECVD工艺低温沉积，以减少对硅有源器件的热影响。但低温PECVD氮化硅的质量和均匀性不如高温LPCVD工艺，因此进行了工艺优化。(台积电的SOI的硅层采用270nm，目的是为了提升光栅耦合器的耦合效率和无源器件性能；Intel的硅光同样是选了一个400nm的厚度，GF也报道过160nm的SOI器件，CEA-Leti有个310nm顶硅的选项，总之好多都不是常规的220nm